Theo truyền thống, các phiên bản Active sẽ có phần cứng cao cấp, có độ bền cao (chống bụi và nước), thiết kế hầm hố và có pin dung lượng lớn hơn. Năm nay, Galaxy S8 Active cũng sắp được ra mắt và nhận được nhiều sự quan tâm.
Điểm hiệu năng lõi đơn và đa lõi của Galaxy S8 Active.
Mới đây, điểm hiệu năng của “siêu phẩm” này đã được tiết lộ trên Geekbench. Theo đó, Galaxy S8 Active (có tên mã SM- G892A) có điểm lõi đơn và đa lõi khá cao, lần lượt là 1842 và 6394 điểm.
Hình ảnh được cho là của Galaxy S8 Active.
Về thông số dự kiến, giống như bộ đôi Galaxy S8 và S8 +, S8 Active cũng sẽ được trang bị chip xử lý Snapdragon 835 cao cấp nhất của Qualcomm tám lõi (octa core); RAM 4GB; chạy hệ điều hành Android 7.1 Nougat. Năm ngoái, Galaxy S7 Active “tiền nhiệm” có dung lượng pin lên tới 4000 mAh, cao hơn nhiều so với Galaxy S7 (3000 mAh). Do đó, pin của S8 Active năm nay nhiều khả năng sẽ có pin trên 3000 mAh.
Hình ảnh rò rỉ được cho là của S8 Active cho thấy, sản phẩm có ngoại hình khá giống so với cặp Galaxy S8 nhưng các cạnh không được uốn cong. Điện thoại có thiết kế gọn gàng kiểu truyền thống, viền benzel (benzen) rộng hơn, dày hơn, giúp tăng độ bền, chống va đập cho máy.
So với Galaxy S7 Edge “tiền nhiệm”, Galaxy S8+ có vẻ ngoài tinh tế, thời thượng hơn.
Nguồn thông tin được HOCHOIMOINGAY.com sưu tầm từ Internet